IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管），它是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。

目前市面上大多數(shù)IGBT驅(qū)動(dòng)板都沒有設(shè)計(jì)過熱保護(hù)，只是在靠近IGBT模塊的散熱器上安裝一個(gè)溫度傳感器，把溫度信號(hào)采集到處理器中，通過采樣值算出散熱器表面溫度來估算IGBT內(nèi)部的溫度；用這種方法所測(cè)出來的溫度不是很可靠，溫度傳感器在散熱器上的安裝位置、熱阻等因素對(duì)采樣值影響很大。

現(xiàn)在很多IGBT廠商都會(huì)在IGBT模塊內(nèi)部封裝一個(gè)NTC熱敏電阻，用它來測(cè)量模塊的殼體溫度不但精度很高，而且很準(zhǔn)確，不受安裝位置等因素的影響。廣東愛晟電子科技有限公司研發(fā)、生產(chǎn)的NTC熱敏電阻具有高精度、高靈敏、高可靠的特點(diǎn)，能更好地進(jìn)行IGBT模塊內(nèi)部的檢測(cè)。這次，我們會(huì)介紹一種基于光纖的IGBT溫度檢測(cè)方法，以檢測(cè)IGBT的工作溫度。

如上圖所示，此IGBT溫度檢測(cè)方法包括以下步驟：

第五步、控制單元先檢測(cè)該頻率信號(hào)的頻率，再計(jì)算出IGBT溫度，檢測(cè)結(jié)束。

這個(gè)測(cè)量方法采用光纖傳輸信號(hào)，抗電磁干擾能力強(qiáng)，很適合應(yīng)用在電磁干擾要求較高的場(chǎng)合；通過采集NTC熱敏電阻的電壓來檢測(cè)IGBT溫度，起到實(shí)時(shí)監(jiān)控作用，避免IGBT過熱燒毀；整個(gè)方法步驟精簡(jiǎn)，所用硬件成本較低，能顯著降低應(yīng)用成本。